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发表于 2010-3-30 23:53:54
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IEC60747-9-2007 art9:Insulated-gatebipolartransistors(IGBTs)
IGBT是MOS结构双极器件,属于兼具功率MOSFET的高速性能与双极低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。鉴于IGBT的参数特性,IGBT目前主要应用在电机、变换器(逆变器)、变频器、UPS、EPS电源、风力发电设备、数码相机闪光灯充电器、电磁炉、变频家电等工业控制和消费电子产品中。在汽车电子市场IGBT也已经代替达林顿管成为汽车点火器的首选器件,另外在计算机和网络通信领域,IGBT广泛应用在大功率服务器、UPS电源以及大功率基站中。 |
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