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[i=s]本帖最后由gsuner于2012-6-815:34编辑[/i]
您的想法是对的，片式磁珠可算作“片式线圈和片式电感器“，其失效模式和机理同片式电感器类似，所以按片式电感器进行可靠性预计。 温度应力系数按热点温度查表计算，也就是磁珠本身的温度，如果器件周围没有大功率的器件，就用环境温度+5*1.1查表计算。
[i=s]本帖最后由gsuner于2012-6-811:57编辑[/i]
上面的回答都错了。 普通硅二极管基本是效率表中的电应力比S=使用的平均正向电流Iop/在Ts时的额定平均正向电流IM，还要乘以电应力调整系数C，C的计算参见标准63页5.3.13.2，各类分立器件电应力比计算，参照5.3.13.3.
可靠性预计的计算比较复杂，可以到赛宝质量与可靠性云网站注册，免费使用最权威的299C计算软件CARMES，软件对S的计算已经给出输入参数的名称，就不会错了。 赛宝质量与可靠性云网站，在百度里搜一下“赛宝云”就出来。
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[i=s]本帖最后由gsuner于2012-6-815:34编辑[/i]
您的想法是对的，片式磁珠可算作“片式线圈和片式电感器“，其失效模式和机理同片式电感器类似，所以按片式电感器进行可靠性预计。
温度应力系数按热点温度查表计算，也就是磁珠本身的温度，如果器件周围没有大功率的器件，就用环境温度+5*1.1查表计算。
[i=s]本帖最后由gsuner于2012-6-811:57编辑[/i]
上面的回答都错了。
普通硅二极管基本是效率表中的电应力比S=使用的平均正向电流Iop/在Ts时的额定平均正向电流IM，还要乘以电应力调整系数C，C的计算参见标准63页5.3.13.2，各类分立器件电应力比计算，参照5.3.13.3.
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