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5080.7 上面有这些的注释，你就挑一组做公司产品参考，然后按照上面的数值带入公式中算时间。给你一个参考1、按照产品组网方式进行组网连接，接通电源。；2、MTBF测试采用定时（定数）截尾方案之5：9试验方案。该方案的特征由下列参数表示（参考《GB 5080.7-86》）：m0=可接受的平均无故障时间；m1=不可接受的平均无故障时间；α=生产方风险，是指当实际的m=m0时，样品被拒收的概率；β=生产方风险，是指当实际的m=m1时，样品被拒收的概率；Dm=m0/m1，平均无故障时间的鉴别比。 3、规定的平均故障间隔时间MTBF≥40000小时，即m0 = 40000h。且要求信赖性置信水准为90%。故MTBF=Ae*2*N*T/X^2（1-90%, 2R + 2），R为失效数。4、温度应力：45±3℃5、Ea：析出故障消耗能量，根据产品特性取Ea=0.6eV；k：Boltzmann常数，k=8.6*10^-56、环境加速因子Ae=EXP{(Ea/k)*[(1/Tuse)-(1/Tstress)]}=EXP{(0.6*10^5/8.6)*[(1/298)-(1/318)]}=4.357、试验样本数为50台（对于出现可修复故障的样品，则修复后继续投入试验，但要减去维修时间）。8、执行《GB 5080.7-86》标准之5：9方案： m1=m0/Dm=40000/2=20000 9、当失效数R=0时，实施5:9方案：实际测试时间T1=1.84*m1*X^2(1-90%,2R+2)/2Ae/N=1.84*20000*4.605/2/4.35/50=389.6h =17天注：当失效数R=0时，那么结束试验，判定MTBF测试通过。若当失效数0＜R≤2时，延长测试时间。延长测试时间T2=1.84*m1*X^2(1-90%,2R+2)/2Ae/N=1.84*20000*X^2(1-90%,2*2+2)/2/4.35/50=38天当R≥3时判定测试失效，一律拒收。
一般器件失效类型以及活化能参考设备名称失效类型失效机理活化能（eV）IC断开Au-Al金属间产生化合物1IC断开Al的电迁移0.6IC（塑料）断开Al腐蚀0.56MOS IC（存贮器）短路氧化膜破坏0.3～0.35二极管短路PN结破坏（Au-Si 固相反应）1.5晶体管短路Au的电迁移0.6MOS 器件阈值电压漂移发光玻璃极化1MOS 器件阈值电压漂移Na离子漂移至Si氧化膜1.2～1.4MOS 器件阈值电压漂移Si-Si氧化膜的缓慢牵引1
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5080.7 上面有这些的注释，你就挑一组做公司产品参考，然后按照上面的数值带入公式中算时间。给你一个参考1、按照产品组网方式进行组网连接，接通电源。；2、MTBF测试采用定时（定数）截尾方案之5：9试验方案。该方案的特征由下列参数表示（参考《GB 5080.7-86》）：m0=可接受的平均无故障时间；m1=不可接受的平均无故障时间；α=生产方风险，是指当实际的m=m0时，样品被拒收的概率；β=生产方风险，是指当实际的m=m1时，样品被拒收的概率；Dm=m0/m1，平均无故障时间的鉴别比。 3、规定的平均故障间隔时间MTBF≥40000小时，即m0 = 40000h。且要求信赖性置信水准为90%。故MTBF=Ae*2*N*T/X^2（1-90%, 2R + 2），R为失效数。4、温度应力：45±3℃5、Ea：析出故障消耗能量，根据产品特性取Ea=0.6eV；k：Boltzmann常数，k=8.6*10^-56、环境加速因子Ae=EXP{(Ea/k)*[(1/Tuse)-(1/Tstress)]}=EXP{(0.6*10^5/8.6)*[(1/298)-(1/318)]}=4.357、试验样本数为50台（对于出现可修复故障的样品，则修复后继续投入试验，但要减去维修时间）。8、执行《GB 5080.7-86》标准之5：9方案： m1=m0/Dm=40000/2=20000 9、当失效数R=0时，实施5:9方案：实际测试时间T1=1.84*m1*X^2(1-90%,2R+2)/2Ae/N=1.84*20000*4.605/2/4.35/50=389.6h =17天注：当失效数R=0时，那么结束试验，判定MTBF测试通过。若当失效数0＜R≤2时，延长测试时间。延长测试时间T2=1.84*m1*X^2(1-90%,2R+2)/2Ae/N=1.84*20000*X^2(1-90%,2*2+2)/2/4.35/50=38天当R≥3时判定测试失效，一律拒收。
一般器件失效类型以及活化能参考设备名称失效类型失效机理活化能（eV）IC断开Au-Al金属间产生化合物1IC断开Al的电迁移0.6IC（塑料）断开Al腐蚀0.56MOS IC（存贮器）短路氧化膜破坏0.3～0.35二极管短路PN结破坏（Au-Si 固相反应）1.5晶体管短路Au的电迁移0.6MOS 器件阈值电压漂移发光玻璃极化1MOS 器件阈值电压漂移Na离子漂移至Si氧化膜1.2～1.4MOS 器件阈值电压漂移Si-Si氧化膜的缓慢牵引1