GaN Power Device R&D Engineer (Reliability)30-40万/年
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
苏州-吴江区 | 3-4年经验 | 硕士 | 招2人 | 03-28发布
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Job description:
This contributor will work on evaluating device reliability with JEDEC/AEC standard, providing optimized design or new design solution for a better product.
The job responsibilities include:
JEDEC/AEC standard test method study and reliability system design;Mask layout design and tapeout implementation;Process flow design and setup and co-work with process engineers for device fabrication;Plan, coordinate and evaluate process experiments (including DOE’s);Device characterization including DC and AC test;Design reliability experiments to evaluate a new product;Use FA methods to find design weak point and provide solution.
Minimum Requirements:
MS or PhD in Electronic Engineering, Engineering Physics or a related engineering degree
Practice Experience on power devices (GaN-on-Si power device preferred)
Preferred Qualifications and Skills:
Deep understanding of power device physics, semiconductor physics; Experience on power device design, fabrication and characterization;Working experience with keysight B1505/ B1500 /2400/2410 measurement platforms;Experience on device L-edit/Cadence Layout design tool;Demonstrated ability to work within schedule constraints;Excellent communication and team skills;Technical documentation experience;
职能类别：半导体技术
联系方式
上班地址：苏州吴江区汾湖经济开发区新黎路98号
地图 公司信息 英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称英诺赛科）是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司。公司成立于2017年10月，坐落于江苏省苏州市汾湖高新技术开发区，注册资本20亿元人民币，占地面积368亩。
英诺赛科掌握8英寸硅基氮化镓材料、器件及集成电路设计、制造全产业链核心技术，汇聚各国半导体产业精英人才，共同打造功率与射频半导体国际一流品牌，并与多家国际技术研发机构开放合作，形成半导体产业跨国创新联盟。
英诺赛科商业模式采用IDM (Integrated Device Manufacturer) 全产业链模式，以其雄厚的技术实力，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。主要产品包括氮化镓功率器件、功率模块和射频器件，具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等优势，全面助力新能源汽车、5G通信、人工智能、无线充电与快充、数据中心及激光雷达等行业高效、节能、绿色发展。
英诺赛科作为中国“芯”动力，将以融汇全球高端智力资源，研发顶尖半导体应用产品的决心，秉承“创新引领时代，同心筑梦中国，用’芯’点亮未来”的使命，蓄势待发，为国家第三代半导体腾飞做出贡献。
