请教二极管失效和寿命考核问题 可靠性技术 可靠性试验 09年1月6日 编辑 okhere1999 取消关注 关注 私信 一个二极管反向击穿电流为100A,设计寿命20年,一年累计工作100次,每次工作时间2小时,请问这样的二极管的怎么进行加速失效考核?是否可以用100A连续工作4000小时来进行考核? 给TA打赏 共{{data.count}}人 人已打赏
lily1106 lv2lv2 09年3月2日 [quote]原帖由[i]txz06[/i]于2009-1-701:33发表[url=pid=38130&ptid=4999][/url] 激光二极管的筛选和寿命评价 这篇,还有另外1篇,明天继续传。 今天上传到4mb了。[/quote] 这个论坛怎么上传,下栽资料都受限制,严重打击大家的积极性,郁闷!
txz06 lv5lv5 09年1月7日 GaAs红外发光二极管加速寿命试验 哥们,好好看一下吧! 文件下载:GaAs红外发光二极管加速寿命试验.pdf 密码或说明: 大小:1254KB attach文件下载后改名pdf后缀
txz06 lv5lv5 09年1月7日 硅稳压二极管的高温贮存加速寿命试验及失效分析 [b]这篇文章很长,够你看好长一阵子。[/b] 文件下载:硅稳压二极管的高温贮存加速寿命试验及失效分析.pdf 密码或说明: 大小:1978KB attach文件下载后改名pdf后缀
txz06 lv5lv5 09年1月7日 [b]摘 要:[/b] 文中介绍了半导体激光二极管(LD)寿命测试的理论依据,给出了寿命测试的数学模 型,并据此设计了LD高温加速寿命自动测试系统。系统通过采集恒流工作LD的平均输出光 功率随时间变化的信息,绘制LD的老化曲线,即恒流条件下的P-t曲线,或通过采集恒功工 作LD的工作电流随时间变化的信息,即恒功条件下的I-t曲线,然后推断LD正常条件下的 使用寿命 文件下载:激光二极管寿命测试方法研究.pdf 密码或说明: 大小:120KB attach文件下载后改名pdf后缀
txz06 lv5lv5 09年1月7日 [b]二极管的加速寿命试验[/b] 加速寿命试验是指采用加大应力的方法促使样品在短期内失效,以预测在正常工作条件 或储存条件下的可靠性,但不改变受试样品的失效分布。 通过加速寿命试验可达到以下目的: (1)、在较短时间里,对高可靠元器件的可靠性水平进行评估,可用外推法快速预测在 规定条件下的失效率; (2)、在较短时间内,对元器件可靠性设计、工艺改进和可靠性增长的效果进行评估; (3)、在较短时间内,加速暴露元器件失效模式和机理,从而可正确地制定失效判据和 筛选条件。 必须指出,元器件的电气规格参数指标与其性能稳定可靠是不同的概念,两者之间并没 有直接的联系。规格参数良好的元器件,它的可靠性不一定高;相反,规格参数差一些的元 器件,其可靠性也不一定低。电子元器件的大部分规格参数都可以通过仪表立即测量出来, 但是它们的可靠性和稳定性却必须通过各种可靠性试验,或者大量(或长期)的使用之后才 能判断出来。 电子元器件的失效率数据,可以通过对它的可靠性试验求得: λ=失效率=失效数÷(试验器件的总数×运用时间) 失效率的常用单位是Fit(1Fit=10-9/h),一百万个元器件运用1000h有1个失效,就 叫做1Fit。失效率越低,说明元器件的可靠性越高。
非常感谢论坛高手多的
十分感谢各位!
20权限的只能顶了。。。。。。。。。。。
恩,好东西,正好用得到,收下了,希望楼主多发些这样的好东西
我现在刚好遇到几起二极管坏的情况,楼主能给我发一份吗?我现在权限不够,[email]qianlihnu@yeah.net[/email],谢谢
真正的好东西,谢谢了
DDDDD
非常感谢txz06,谢谢提供这些文章与大家分享。
哪个网站都会有所限制的,毕竟网络资源还没到无限的时候啊。。
[quote]原帖由[i]txz06[/i]于2009-1-701:33发表[url=pid=38130&ptid=4999][/url]
激光二极管的筛选和寿命评价
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这个论坛怎么上传,下栽资料都受限制,严重打击大家的积极性,郁闷!
谢谢!
[b]激光二极管的筛选和寿命评价[/b]
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GaAs红外发光二极管加速寿命试验
哥们,好好看一下吧!
硅稳压二极管的高温贮存加速寿命试验及失效分析
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[b]摘 要:[/b]
文中介绍了半导体激光二极管(LD)寿命测试的理论依据,给出了寿命测试的数学模
型,并据此设计了LD高温加速寿命自动测试系统。系统通过采集恒流工作LD的平均输出光
功率随时间变化的信息,绘制LD的老化曲线,即恒流条件下的P-t曲线,或通过采集恒功工
作LD的工作电流随时间变化的信息,即恒功条件下的I-t曲线,然后推断LD正常条件下的
使用寿命
[b]二极管的加速寿命试验[/b]
加速寿命试验是指采用加大应力的方法促使样品在短期内失效,以预测在正常工作条件
或储存条件下的可靠性,但不改变受试样品的失效分布。
通过加速寿命试验可达到以下目的:
(1)、在较短时间里,对高可靠元器件的可靠性水平进行评估,可用外推法快速预测在
规定条件下的失效率;
(2)、在较短时间内,对元器件可靠性设计、工艺改进和可靠性增长的效果进行评估;
(3)、在较短时间内,加速暴露元器件失效模式和机理,从而可正确地制定失效判据和
筛选条件。
必须指出,元器件的电气规格参数指标与其性能稳定可靠是不同的概念,两者之间并没
有直接的联系。规格参数良好的元器件,它的可靠性不一定高;相反,规格参数差一些的元
器件,其可靠性也不一定低。电子元器件的大部分规格参数都可以通过仪表立即测量出来,
但是它们的可靠性和稳定性却必须通过各种可靠性试验,或者大量(或长期)的使用之后才
能判断出来。
电子元器件的失效率数据,可以通过对它的可靠性试验求得:
λ=失效率=失效数÷(试验器件的总数×运用时间)
失效率的常用单位是Fit(1Fit=10-9/h),一百万个元器件运用1000h有1个失效,就
叫做1Fit。失效率越低,说明元器件的可靠性越高。