[url=http://tw.acesuppliers.com/company/offerdetail_1815.html][color=Red]SAT （C-SAM）
超声波扫描显微镜[/url]（扫描频率最高可以达到２Ｇ）．扫描分辨率0.1微米.最小扫描范围为0.25微米*0.25微米.其主要是针对半导体器件,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2.内部裂纹.3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等.
[url=http://tw.acesuppliers.com/company/offerdetail_1815.html][color=Red]ＸRAY与C-SAM区别[/url]
ＸRAY：X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形 在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞，很容易探测到.而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难，因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法，这已是破坏性分析了。
C－SAM：由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力，根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。超声波在行经介质时，若遇到不同密度或弹性系数之物质时，即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此，只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时，即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置
[url=http://tw.acesuppliers.com/company/offerdetail_1815.html][color=Blue]C-SAM服务[/url]
超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如[url=http://tw.acesuppliers.com/company/offerdetail_1815.html][color=Blue]裂缝、空洞和脱层[/url]。
C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。
C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。
主要应用范围：
·晶元面处脱层
·锡球、晶元、或填胶中之裂缝
·晶元倾斜
·各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等）
·覆晶构装之分析
[[i]本帖最后由wu_kh于2008-4-2617:16编辑[/i]]
