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    资料: 集成电路中电迁移分析

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  • 可靠性试验
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    一篇小分析文章

    Advancesinintegratedcircuitfabricationtechnologyoverthepasttwo
    decadeshaveresultedinintegratedcircuitswithsmallerdevicedimensionsand
    largerareaandcomplexity.Thisevolutionoftechnologyhighlightselectromigration
    asamajorreliabilityprobleminsiliconVLSIcircuits.Emphasisis
    placedonthescopeanddetailoftheelectromigrationteststructures
    themselves,andontheanalysisofelectromigrationeffectswithinvarioustypes
    ofaluminumteststructures.

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    Lv.3
    呵呵!忙得没时间看英文了,如果能翻译成中文就再好不过
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    Lv.1
    我在外边,也在着一些中文的有关可靠性的文章,搜索到了这个网页。很高兴。但我手头资料有限,只能贴一些英文的,还望包涵!
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    虽然是英文的不过还是很感谢楼主
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    学习了,感谢楼主
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