请各位高手们帮我分析一下KST8550失效的原因 可靠性技术 可靠性设计 10年11月12日 编辑 xiebaokui 取消关注 关注 私信 做完低温贮存（-25℃）试验后发现截止电流为0.2uA大于要求的0.1uA（规格书）。 做完稳态湿热（40℃，93%湿度）试验后发现截止电流为0.3uA大于要求的0.1uA（规格书）。 具体情况见附件 给TA打赏 共{{data.count}}人 人已打赏
fanweipin lv5lv5 10年11月19日 从楼主的附档描述上有些问题：“集电极-基极截止电流Icbo”，应该是如下：集电极一基极反向饱和电流Icbo 集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。 也就是在集电结上加反向压降时其反向漏电流增大，这个管子好像是60V的。这就跟管子的制造工艺有很大相关了，封装、邦定、切割等等。
从楼主的附档描述上有些问题：“集电极-基极截止电流Icbo”，应该是如下：集电极一基极反向饱和电流Icbo
集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
也就是在集电结上加反向压降时其反向漏电流增大，这个管子好像是60V的。这就跟管子的制造工艺有很大相关了，封装、邦定、切割等等。
报告看不明白，是一颗料？还是几颗料。试验的过程如何，讲讲
帮楼主顶一下,希望有高手可以回复.