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激活能Ea如何取值?(附微电子器件失效激活能快速评价法)

 火... [复制链接]
发表于 2009-4-14 14:44:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
我想做一个电源监控芯片的加速试验,要计算测试时间,但不知道Ea的取值,希望大家给予指导~不胜感激




18楼附:
微电子器件失效激活能快速评价法.pdf(398.84KB)
发表于 2009-4-14 16:35:30 | 显示全部楼层
失效模式        失效机理        激活能(eV)
阈值电压漂移        离子性(SiO2中的钠离子漂移)        1.0~1.4
阈值电压漂移        离子性(Si-SiO2界面的低阻挡层)1.0
漏电流增加        形成反型层(MOS器件)        0.8~1.4
漏电流增加        隧道效应(二极管)        0.5
电流增益下降        因水分加速离子移动        0.8
开路        铝的腐蚀        0.6~0.9
开路        铝的电迁移        0.6
短路        氧化膜击穿0.3

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发表于 2009-4-15 10:40:54 | 显示全部楼层
用于加速模拟寿命试验的Ea值,一般国际大厂使用0.7eV,也有保守的使用0.6eV。
这些数据可以在这些厂商的网站上取得,一般在〈质量和可靠性手册〉中。
这些数据的取得,当然要试验后取得,也可以直接引用。
关于你的案例(电源监控芯片),也可以要求芯片流片厂提供。
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发表于 2009-12-28 16:48:47 | 显示全部楼层
感谢SUNJJ!
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发表于 2010-2-27 21:04:47 | 显示全部楼层
一般电子类产品我们公司的EA取值都取0.67eV.不知道有更加科学的取值方法没?谢谢
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发表于 2010-5-3 21:36:27 | 显示全部楼层
不建议用参考值,还是要自己设计实验做出实验值的
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发表于 2010-5-31 11:00:58 | 显示全部楼层
半導體會參考MIL-HDBK-217的0.43ev
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发表于 2010-6-2 16:46:30 | 显示全部楼层
我们目前用0.7ev,等积累足够数据后再推算自己产品的ev
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发表于 2010-9-13 10:27:47 | 显示全部楼层
最准确就是先做实验知道产品的寿命,在用模型返回来求Ea
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发表于 2010-10-7 10:59:06 | 显示全部楼层
有没有EA的相关选取的列表可以共享下
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