请教：IC器件的寿命如何评估
TC/HAST/HALT的试验主要是激发缺陷，但是不能比较准确的得到寿命；请教专家，何种试验可以准确预测IC器件的寿命？谢谢 FIT高温老化是可以的 集成电路在满足器件规格范围内使用的时间，其寿命一般都比较长；主要是由于集成电路本身生产特性决定的，但是如果使用过程中发生静电、闩锁效应的影响，其寿命就会受到很大的影响甚至直接导致集成电路失效；因此仅仅评估集成电路寿命很难设置相应的老化条件，建议楼主最好在选择集成电路芯片的时间考虑降额以及多关注其可靠性指标：诸如静电等级、潮敏等级等； 感谢版主的指点。
我的理解是：封装、晶圆、设计的可靠性达到寿命要求；用户使用过程中自身问题（设计不当，自身制造的能力问题等）导致的实效不能说是器件制造商的问题；我们做可靠性试验主要是为了验证器件的固有可靠性；寿命试验是为了准确验证器件的固有寿命。 IC产品寿命一般服从weibull分布，为了分析方便，一般先采用老化筛选出进入偶然失效期的器件，这样这些器件是服从指数分布的。然后做温度或电压加速的寿命试验，失效数越多，最后得到的寿命值估计或区间越准确。
如果加速试验进行到wear-out失效区，还要用weibull分布来分析，寿命也可以很容易的计算出，但是要注意失效模式跟形状参数有关，如果形状参数变化较大，证明有不同的失效模式产生。 三楼四楼说的详细,使用中的很多情况都会影响使用寿命.
就象电脑硬盘,厂家给出的理想寿命比一般人的寿命还要长.实际使用几年就坏的很常见. 本帖最后由闲情于2010-8-1913:29编辑
所谓固有寿命,是生产厂家在特定的试验条件下测试得到的.一般不会考虑静电、潮湿等的；
可以说,实际的使用情况一定会比它要坏.
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