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2017微纳电子器件可靠性与辐射效应国际研讨会
2017年5月22日~5月24日
中国，成都
【会议背景】
本次会议旨在为微纳电子器件可靠性与辐射效应领域的最新研究结果提供交流机会，主要涉及微纳电子器件可靠性设计、失效物理研究、器件辐射损伤效应和机理研究、充放电效应、抗辐照加固技术等。会议将包括口头报告、海报展示及圆桌会议等多种展示和交流形式。
欢迎相关领域的科研和应用技术人员踊跃参加！
【组织方】
主办单位：中国科学院微电子研究所（IMECAS）
协办单位：中德科学中心、四川大学、电子科技大学、中国核学会辐射物理分会、中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心、中国空间技术研究院宇航物资保障事业部、四川省豆萁科技股份有限公司、赛思库（CISSCOOL）、成都市双流区人民政府
【委员会成员】
大会主席：刘明院士
共同主席：Dan Fleetwood教授、Ulf Schlichtmann教授、陈伟研究员、赵元富研究员
特邀顾问委员：吴德馨院士、邱爱慈院士、叶甜春所长
【大会报告嘉宾】
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刘明，中国科学院微电子研究所，研究员
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Dan Fleetwood，IEEE Fellow，美国范德堡大学，教授
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陈伟，西北核技术研究所，研究员
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赵元富，中国航天电子技术研究院，研究员
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Tibor Grasser，IEEE Fellow，奥地利维也纳技术大学，教授
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Ulf Schlichtmann，德国慕尼黑工业大学，教授
【特邀报告嘉宾】
（排名不分先后，持续更新中…）
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Alessandro Paccagnella，意大利帕多瓦大学，教授
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Bharat Bhuva，美国范德堡大学，教授
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Kirsten Weide-Zaage，德国汉诺威大学微电子学院可靠性仿真与风险评估实验室，教授
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Mario Schölzel，德国创新高性能微电子研究所，教授
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陈书明，国防科学技术大学，教授
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Li Chen，加拿大萨省大学，教授
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Shijie Wen，美国思科公司，卓越工程师
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许军，清华大学，教授
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Kay-Obbe Voss，德国重离子研究中心材料研究所，资深科学家
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李威，电子科技大学，教授
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刘杰，中国科学院兰州近代物理所，研究员
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杨海刚，中国科学院电子学研究所，研究员
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郭红霞，西北核技术研究所，研究员
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于庆奎，中国空间科学技术研究院，研究员
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韩建伟，中国科学院国家空间科学中心，研究员
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陈宏宇，上海微小卫星工程中心，研究员
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杜广华，中国科学院兰州近代物理所，研究员
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代钢，中国工程物理研究院微系统和太赫兹研究中心，副研究员，室主任
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Alessandra Menicucci，代尔夫特理工大学，副教授
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Zhigang Ji，英国利物浦约翰摩尔大学，副教授
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程志海，中国科学院国家纳米科学中心，研究员
同时，赛思库也受邀将作为特邀报告嘉宾参会。
【征文范围】
本次会议征文范围主要包括：
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电子器件可靠性（新型器件、缺陷、物理机制和建模仿真等）
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可靠性设计（材料级、工艺极、器件级、电路级、系统级）
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单粒子效应、电离总剂量效应、位移损伤效应（物理机制、建模仿真等）
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充放电效应和静电防护
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失效特性及分析
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抗辐射加固技术
【投稿说明】
投稿截止日期：2017年3月1日
接收通知日期：2017年4月1日
Tips：提交稿件应为英文书写的PDF文件（A4纸大小），包含1页封面和2页摘要。封面应包括题目、作者姓名及单位、通讯作者电话及电子邮箱地址，以及不多于40字的小结。
特别声明：本次投稿的稿件应符合国家保密和著作权法有关规定，并得到本单位的认可和支持。如发现有抄袭、剽窃等学术不端问题及侵权、泄密等违规行为，均由作者负责，本次会议主办单位不承担任何责任。
【会议官网】
http://iwrre-mned.csp.escience.cn
赛思库（CISSCOOL）是此次会议联合组织方，进一步消息请关注赛思库新版微信公众号“赛思库”——航天军工领域元器件数据平台。
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