各位大侠,小弟现在对于可靠性试验中的高温存储与高温高湿条件的加速因子的计算有所领悟,但是目前还有一个就是低温存储条件下的加速因子的讨论,因为按照Arrhenius加速模型中是根据温度升高加速器件内部的化学反应的进行速率从加速产品失效的产生,如果按照这个理论那么在低温状态下就会延长产品的使用寿命,是不是?对于这个问题还请个位大侠进行指导!如何进行关于低温加速因子的计算!
关于低温存储试验的加速因子的计算如何进行
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同求低温相关的加速计算~:handshake
这方面还真没注意过，期待高手的解答
这方面还真没注意过，期待高手的解答
有找到論文,For風扇product:低溫加速之加速倍數為常溫加速的2.93倍，高溫加速之加速倍數為常溫加速的1.93倍
搜尋LCDmonitor低溫加速因子中
期待中。。。
我也觉得不论是低温还是高温，用什么模型主要看产品的实效机理是什么。只是好像真的没有见过有关低温加速的文章，期待高人指点。。。
只有搞清楚低温的失效机理才有可能找出模型
只見過高溫加速模型
有關于低溫加速方面，似乎只有高低溫循環測試時有所涉及
期待高手出来讲解一下
顶一下，看看有没有哪位高手接触过低温加速的问题。
顶，对低温加速因子如何计算，使用什么模型，我也搞不明白，希望高人现身讲解。
我很赞同楼上的观点，低温的失效机理和高温是不一样的，自然所适用的加速模型也不相同。
看你想针对的是何种失效机理。每一种失效机理都有对应一种或多种的应力可以进行加速，高温仅仅是提供一个普遍意义上范围较广、作用较明显的应力条件，低温同样可以起到加速，比如JESD22-A119中就提到低温对非易失性存储器数据保持能力的检验。
而通常所说的温度加速一般都以室温25℃或附近的温度作为参考，因为器件设计是大多参考这个温度进行设计和量化，故而10度法则也是这样适用的，适当降低温度确实可以延长器件的使用寿命，但不是无限制降低，过低的温度照样会导致器件故障，因此芯片既有高温极限也有低温极限。但通常来说，室温（或室温附近）是最佳环境，能自然就能提供这样的使用环境，就不需要附带加热或降温设备。但任何事物都有两个方面，高温可以使部分失效机理得到加速，低温也可以，只是作用的机理方面不太一样而已。
这个需要试验数据的吧,Arrhenius理论不一定总是有用的
有意思 ;P
好象还真的没怎么看到过有关低温方面的加速理论，等待高手解答中
好象还真的没怎么看到过有关低温方面的加速理论，等待高手解答中
谢谢大家还希望能够尽快帮助小弟解决我的困难！谢谢诸位大侠了！
再顶一下，看看有没有哪位高手接触过低温加速的问题。
Arrhenius加速模型,只是适用于高温加速吗?
盼望高手出来解释下低温加速该用什么模型.
[quote]原帖由[i]morrison[/i]于2007-9-823:38发表
據我瞭解，Arrhenius溫度加速模型適於常溫(25degC)以上的高溫加速，曾經看過IC低溫加速的論文，但是那是另外一種失效機理。有空會繼續探討此一議題。[/quote]
Arrhenius加速模型，一直看到的例子都是高温加速，还真不知道低温加速方面有什么理论模型呢。。
morrison显然是这方面的高手，希望有机会给大家释疑一下。。
学习。
據我瞭解，Arrhenius溫度加速模型適於常溫(25degC)以上的高溫加速，曾經看過IC低溫加速的論文，但是那是另外一種失效機理。有空會繼續探討此一議題。