最近在看GJB/Z35－93元器件降额准则时，附录A中：
A1：晶体管的失效率模型
晶体管基本失效率λb模型
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式中：A——失效率换算系数；
e——自然对数底，2.718；
Nt,P——器件中的形状参数；
Tjm——最高允许结温（0功率点），℃；
T——工作温度（环境或壳温），℃；
△T——Tjm与额定功率点最高允许温度之差，℃；
S——应力比或降额因子。
1.现在不知道晶体管的基本失效率λb这个公式是怎么来的？查了好多的资料也找不到。
2.上面只列出了晶体管的基本失效率模型，那么如光电器件，电容器也应该有相应的失效模型，现在不知道这些模型是怎样的？在查阅
GJB/299C－2006电子设备可靠性预计手册,也不能找到类似晶体管的基本失效率λb模型。
现希望有高人能够解答一下，不胜感激!
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